Welcome to ichome.com!

logo
Дом

IPB65R125C7ATMA2

IPB65R125C7ATMA2

IPB65R125C7ATMA2

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 650V 18A TO263-3

IPB65R125C7ATMA2 Техническая спецификация

compliant

IPB65R125C7ATMA2 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1,000 $2.46354 -
2,000 $2.34036 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 650 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 18A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 125mOhm @ 8.9A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 440µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 35 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1670 pF @ 400 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 101W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PG-TO263-3
упаковка / кейс TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

DMG4800LK3-13
DMG4800LK3-13
$0 $/кусок
DMP65H13D0HSS-13
FDZ193P
FDZ193P
$0 $/кусок
DMP1009UFDF-7
DMP1009UFDF-7
$0 $/кусок
FDBL0330N80
FDBL0330N80
$0 $/кусок
IXFH60N50P3
IXFH60N50P3
$0 $/кусок
IXTT3N200P3HV
IXTT3N200P3HV
$0 $/кусок
FQD6N40CTM
FQD6N40CTM
$0 $/кусок
RSR025N03HZGTL
RSR025N03HZGTL
$0 $/кусок
SI3437DV-T1-BE3
SI3437DV-T1-BE3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.