Welcome to ichome.com!

logo
Дом

NP35N04YUG-E1-AY

NP35N04YUG-E1-AY

NP35N04YUG-E1-AY

Renesas Electronics America Inc

MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON

NP35N04YUG-E1-AY Техническая спецификация

compliant

NP35N04YUG-E1-AY Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $0.77989 $0.77989
500 $0.7720911 $386.04555
1000 $0.7642922 $764.2922
1500 $0.7564933 $1134.73995
2000 $0.7486944 $1497.3888
2500 $0.7408955 $1852.23875
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 40 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 35A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 10mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 54 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2850 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 1W (Ta), 77W (Tc)
рабочая температура 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика 8-HSON
упаковка / кейс 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

STW28NM60ND
STW28NM60ND
$0 $/кусок
SQJQ160E-T1_GE3
SQJQ160E-T1_GE3
$0 $/кусок
G110N06T
G110N06T
$0 $/кусок
TSM180N03CS RLG
SIHB068N60EF-GE3
SIHB068N60EF-GE3
$0 $/кусок
SIHP21N80AE-GE3
SIHP21N80AE-GE3
$0 $/кусок
FW905-TL-E
FW905-TL-E
$0 $/кусок
SI3127DV-T1-GE3
SI3127DV-T1-GE3
$0 $/кусок
IRF840ASPBF
IRF840ASPBF
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.