Welcome to ichome.com!

logo
Дом

TK58A06N1,S4X

TK58A06N1,S4X

TK58A06N1,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS

TK58A06N1,S4X Техническая спецификация

compliant

TK58A06N1,S4X Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $1.34000 $1.34
50 $1.07520 $53.76
100 $0.94080 $94.08
500 $0.72960 $364.8
1,000 $0.57600 -
2,500 $0.53760 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 60 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 58A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 5.4mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 500µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 46 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 3400 pF @ 30 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 35W (Tc)
рабочая температура 150°C (TJ)
тип крепления Through Hole
пакет устройства поставщика TO-220SIS
упаковка / кейс TO-220-3 Full Pack
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

SI4396DY-T1-GE3
SI4396DY-T1-GE3
$0 $/кусок
IRFP440PBF
IRFP440PBF
$0 $/кусок
FCP600N60Z
FCP600N60Z
$0 $/кусок
UPA2751GR-E1-A
FDB150N10
FDB150N10
$0 $/кусок
STP4N52K3
STP4N52K3
$0 $/кусок
NVMFS6H800NLWFT1G
NVMFS6H800NLWFT1G
$0 $/кусок
IPB033N10N5LFATMA1
SQJ126EP-T1_GE3
SQJ126EP-T1_GE3
$0 $/кусок
TPH1R204PL,L1Q

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.