Welcome to ichome.com!

logo
Дом

TPN2010FNH,L1Q

TPN2010FNH,L1Q

TPN2010FNH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

TPN2010FNH,L1Q Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

TPN2010FNH,L1Q Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
5,000 $0.63700 -
Inventory changes frequently.

TPN2010FNH,L1Q Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

TPN2010FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 250 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 5.6A (Ta)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 10V
rds на (макс) @ id, vgs 198mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 200µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 7 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 600 pF @ 100 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 700mW (Ta), 39W (Tc)
рабочая температура 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика 8-TSON Advance (3.1x3.1)
упаковка / кейс 8-PowerVDFN
Q1: What is the purchase guide for TPN2010FNH,L1Q?
TPN2010FNH,L1Q of Toshiba Semiconductor and Storage is a MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON. ICHOME is a long-term spot supplier of TPN2010FNH,L1Q, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of TPN2010FNH,L1Q?
Download TPN2010FNH,L1Q Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingTPN2010FNH,L1Q from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide TPN2010FNH,L1Q alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you TPN2010FNH,L1Q replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

NVMFS6H836NWFT1G
NVMFS6H836NWFT1G
$0 $/кусок
TK6P65W,RQ
PJP3NA50_T0_00001
HUF76437S3ST
SPD30N03S2L-20G
IPP045N10N3GXKSA1
IRF200B211
IRF200B211
$0 $/кусок
IRFP360LCPBF
IRFP360LCPBF
$0 $/кусок
APT30F50S
APT30F50S
$0 $/кусок
P3M12080G7

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.