Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SI7190DP-T1-GE3

SI7190DP-T1-GE3

SI7190DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8

SI7190DP-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

SI7190DP-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $1.04610 -
6,000 $1.00980 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 250 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 18.4A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 6V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 118mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 72 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2214 pF @ 125 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 5.4W (Ta), 96W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

IPB80P03P4L04ATMA2
IPL60R365P7AUMA1
SIHP25N50E-GE3
SIHP25N50E-GE3
$0 $/кусок
CWDM3011P TR13 PBFREE
QS5U12TR
QS5U12TR
$0 $/кусок
SQ3427EV-T1_BE3
SQ3427EV-T1_BE3
$0 $/кусок
BSZ0703LSATMA1
SFT1458-TL-H
SFT1458-TL-H
$0 $/кусок
IRFS4620TRLPBF
BUK9608-55A,118
BUK9608-55A,118
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.