Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIA413DJ-T1-GE3

SIA413DJ-T1-GE3

SIA413DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6

SIA413DJ-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

SIA413DJ-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.44280 -
6,000 $0.42201 -
15,000 $0.40716 -
17999 items
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet P-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 12 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 12A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 1.5V, 4.5V
rds на (макс) @ id, vgs 29mOhm @ 6.7A, 4.5V
vgs(th) (макс) @ id 1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 57 nC @ 8 V
вгс (макс) ±8V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 1800 pF @ 10 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SC-70-6
упаковка / кейс PowerPAK® SC-70-6
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

NP90N04VUK-E1-AY
2SK2329L-E
SIR402DP-T1-GE3
SIR402DP-T1-GE3
$0 $/кусок
IXTH110N25T
IXTH110N25T
$0 $/кусок
SI7465DP-T1-GE3
SI7465DP-T1-GE3
$0 $/кусок
IRF8010STRLPBF
IRFZ14STRLPBF
IRFZ14STRLPBF
$0 $/кусок
PMV88ENEAR
PMV88ENEAR
$0 $/кусок
MMDF3N02HDR2
MMDF3N02HDR2
$0 $/кусок
FDC637BNZ
FDC637BNZ
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.