Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SIRA52DP-T1-GE3

SIRA52DP-T1-GE3

SIRA52DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

SIRA52DP-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

-

HongKong/Shenzhen Warehouse

DHL/Fedex/UPS/TNT/SF/EMS

SIRA52DP-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.61600 -
6,000 $0.58520 -
15,000 $0.56320 -
Inventory changes frequently.

SIRA52DP-T1-GE3 Purchase Assurance: Buy Confidently, Use Securely

Transparent & Traceable Sources

We source exclusively from verified channels to ensure authenticity:

  • Direct from manufacturer and OEMs
  • Authorized distributors
  • Market-vetted traders (3+ years stable supply)

Every batch is traceable with documented proof of origin.

Quality Inspection Process

We enforce strict checks to ensure components meet standards:

  • Visual: Appearance, markings, packaging, batch codes
  • X-ray: Pad consistency (on request)
  • Function test: Sample checks for specific models (upon request)
  • Reports: Available upon request
Flexible Payments & Terms

We adapt to your project needs:

  • T/T, PayPal, Credit Card
  • Credit terms for long-term partners (e.g., monthly, Net 15/30)
Reliable After-Sales Support

365 Days warranty with streamlined solutions:

  • Defective? Free returns/replacements
  • Fast reshipment or refund
  • Full-service sourcing: Procurement & payment support
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький

SIRA52DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 40 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 60A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 1.7mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 150 nC @ 10 V
вгс (макс) +20V, -16V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 7150 pF @ 20 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 48W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Q1: What is the purchase guide for SIRA52DP-T1-GE3?
SIRA52DP-T1-GE3 of Vishay Siliconix is a MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8. ICHOME is a long-term spot supplier of SIRA52DP-T1-GE3, supporting sample purchase and bulk order.
Q2: How to find the detailed information of SIRA52DP-T1-GE3?
Download SIRA52DP-T1-GE3 Техническая спецификация
Q3: What payment can support in ICHOME?
PayPal, Payoneer, Visa, Bank Transfer, AliExpress.
Q4: Where do you sourcingSIRA52DP-T1-GE3 from?
After 21 years of long-term and stable development, ICHOME have accumulated leading supply chain partner.
Q5: Can you provide SIRA52DP-T1-GE3 alternative/replacement suggestions?
Through different levels of industry applications, ICHOME engineers will analyze component risks (discontinued, single source, etc.) and give you SIRA52DP-T1-GE3 replacement suggestions, and then provide you with alternative products, supporting free sample delivery.
Q6: Why choose ICHOME?
Compared with ordinary agents, ICHOME provides full BOM matching, EOL judgment, alternative model suggestions, large stock + flexible procurement, test reports, return service
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

PMPB11R2VPX
PMPB11R2VPX
$0 $/кусок
SIHD7N60ET5-GE3
SIHD7N60ET5-GE3
$0 $/кусок
FQN1N50CTA
FQN1N50CTA
$0 $/кусок
IRLR024NTRPBF
IRLR024NTRPBF
$0 $/кусок
AO4498
IRF610STRRPBF
IRF610STRRPBF
$0 $/кусок
HUFA76445S3S
RJK0351DPA-00#J0
SIRA32DP-T1-RE3
SIRA32DP-T1-RE3
$0 $/кусок
FDMS7682
FDMS7682
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.