Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SISHA10DN-T1-GE3

SISHA10DN-T1-GE3

SISHA10DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 25A/30A PPAK

SISHA10DN-T1-GE3 Техническая спецификация

compliant

SISHA10DN-T1-GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
1 $1.00000 $1
500 $0.99 $495
1000 $0.98 $980
1500 $0.97 $1455
2000 $0.96 $1920
2500 $0.95 $2375
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 30 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 25A (Ta), 30A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 3.7mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 51 nC @ 10 V
вгс (макс) +20V, -16V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 2425 pF @ 15 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 3.6W (Ta), 39W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® 1212-8SH
упаковка / кейс PowerPAK® 1212-8SH
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

NTD4804NT4G
NTD4804NT4G
$0 $/кусок
PMPB23XNEZ
PMPB23XNEZ
$0 $/кусок
TPH8R008NH,L1Q
FDMS86300
FDMS86300
$0 $/кусок
NX6008NBKR
NX6008NBKR
$0 $/кусок
SQJ170ELP-T1_GE3
SQJ170ELP-T1_GE3
$0 $/кусок
BSP125H6327XTSA1
BSC018NE2LSIATMA1
IPA60R230P6XKSA1
SQM120P04-04L_GE3
SQM120P04-04L_GE3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.