Welcome to ichome.com!

logo
Дом

SQJA80EP-T1_GE3

SQJA80EP-T1_GE3

SQJA80EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

SQJA80EP-T1_GE3 Техническая спецификация

compliant

SQJA80EP-T1_GE3 Цены и заказ

Количество Цена за единицу товара Цена внешн.
3,000 $0.57072 -
6,000 $0.54392 -
15,000 $0.52478 -
Inventory changes frequently.
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Оптовые цены на каждый заказ, большой или маленький
Имя Ценить
статус продукта Active
тип fet N-Channel
технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (vdss) 80 V
ток - непрерывный сток (id) при 25°c 60A (Tc)
напряжение привода (макс. количество выстрелов, мин. количество выстрелов) 4.5V, 10V
rds на (макс) @ id, vgs 7mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс) @ id 2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (макс.) @ vgs 75 nC @ 10 V
вгс (макс) ±20V
входная емкость (ciss) (макс.) @ vds 3800 pF @ 25 V
особенность fet -
рассеиваемая мощность (макс.) 68W (Tc)
рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления Surface Mount
пакет устройства поставщика PowerPAK® SO-8
упаковка / кейс PowerPAK® SO-8
Загрузка PDF не удалась, попробуйте открыть в новом окне для доступа [Открыть], или нажмите, чтобы вернуться

Номер соответствующей детали

NTD50N03RG
NTD50N03RG
$0 $/кусок
DMP1022UFDF-7
DMP1022UFDF-7
$0 $/кусок
IRF1407STRLPBF
IXTT88N30P
IXTT88N30P
$0 $/кусок
IPB100N04S204ATMA4
TK12A45D(STA4,Q,M)
NTD5N50
NTD5N50
$0 $/кусок
PJMF190N60E1_T0_00001
FCH22N60N
FCH22N60N
$0 $/кусок
SIHU7N60E-E3
SIHU7N60E-E3
$0 $/кусок

Ваш надежный партнер в области электроники

Мы стремимся превзойти ваши ожидания. IChome: новый взгляд на обслуживание клиентов в электронной промышленности.